Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.331 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI5515CDC-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI5515CDC-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 4A 3,1W Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI5515CDC-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 36mOhm bei 6A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 800mV bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11,3nC bei 5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 632pF bei 10V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3,1W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SMD, flache Anschlüsse
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 1206-8 ChipFET™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4A	Basis-Produktnummer SI5515

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 48.567

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)