SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix | FET- und MOSFET-Arrays

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SI3590DV-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI3590DV-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI3590DV-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI3590DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI3590DV-T1-E3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 2,5 A, 1,7 A 830mW Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 77mOhm bei 3A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4,5nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 830mW
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration N- und P-Kanal	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Basis-Produktnummer SI3590
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,5 A, 1,7 A

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SI3590DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	33	SI3590DV-T1-GE3CT-ND	1,18000 €	Parametrisches Äquivalent
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