Name: SI3429EDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3429EDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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SI3429EDV-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI3429EDV-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI3429EDV-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI3429EDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI3429EDV-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 8 A (Ta), 8 A (Tc) 4,2W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI3429EDV-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 118 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4085 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 4,2W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Ta), 8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI3429
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 21mOhm bei 4A, 4,5V

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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