Name: SI2367DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2367DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.726 EUR
Availability: InStock

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SI2367DS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2367DS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2367DS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2367DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2367DS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3,8 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 561 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI2367
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 66mOhm bei 2,5A, 4,5V

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