Name: SI2365EDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2365EDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.5082 EUR
Availability: OutOfStock

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SI2365EDS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2365EDS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2365EDS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2365EDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2365EDS-T1-BE3
Beschreibung	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 4,5 A (Ta), 5,9 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 32mOhm bei 4A, 4,5V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36 nC @ 8 V
Status der Komponente Aktiv	Vgs (Max.) ±8V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,5 A (Ta), 5,9 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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