Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2309CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9075 EUR
Availability: InStock

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SI2309CDS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2309CDS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2309CDS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2309CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2309CDS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	63 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 1,6 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI2309CDS-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.1 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 210 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI2309
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 345mOhm bei 1,25A, 10V

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