Name: SI2302HDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2302HDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.3993 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2302HDS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2302HDS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2302HDS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2302HDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2302HDS-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 2,6 A (Ta) 710mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 57mOhm bei 3,6A, 4,5V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 850mV bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 710mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,6 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 2.670

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)