Name: SI1308EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1308EDL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6413 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SI1308EDL-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1308EDL-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1308EDL-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1308EDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1308EDL-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,4 A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Oberflächenmontage SC-70-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1308EDL-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.1 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 105 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-70-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle SC-70, SOT-323
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI1308
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 132mOhm bei 1,4A, 10V