Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5082 EUR
Availability: InStock

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SI1012CR-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1012CR-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V SC75A
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Oberflächenmontage SC-75A
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1012CR-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 43 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 240mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-75A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 630mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SC-75, SOT-416
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI1012
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 396mOhm bei 600mA, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)