N-Kanal 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L
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MXP120A250FW-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-MXP120A250FW-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
MXP120A250FW-GE3
Beschreibung
SILICON CARBIDE MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
MaxSiC™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
313mOhm bei 4A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,1V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20.3 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
447 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3L
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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