N-Kanal 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MXP120A080FW-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-MXP120A080FW-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
MXP120A080FW-GE3
Beschreibung
SILICON CARBIDE MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
MXP120A080FW-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
MaxSiC™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,69V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
47.3 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1156 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
139W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3L
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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