N-Kanal 200 V 17 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 200 V 17 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRL640SPBF

DigiKey-Teilenr.
IRL640SPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRL640SPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 17 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
66 nC @ 5 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 5V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 5V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FQB19N20LTMonsemi642FQB19N20LTMCT-ND2,28000 ۀhnlich
FQB19N20TMonsemi1.892FQB19N20TMCT-ND2,70000 ۀhnlich
IRF640NSTRLPBFInfineon Technologies1.581IRF640NSTRLPBFCT-ND1,77000 ۀhnlich
STB19NF20STMicroelectronics8.697497-7941-1-ND1,73000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,58000 €3,58 €
501,81840 €90,92 €
1001,64810 €164,81 €
5001,34970 €674,85 €
1.0001,25385 €1.253,85 €
2.0001,17330 €2.346,60 €
5.0001,12506 €5.625,30 €
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Stückpreis mit MwSt.:4,33180 €