Name: VS-3C10ET12T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Price: 7.7077 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-3C10ET12T-M3
DigiKey-Teilenr.	112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-3C10ET12T-M3
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 10A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.5 V @ 10 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	60 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F	38pF bei 800V, 1MHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 810

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	6,37000 €	6,37 €
50	3,43320 €	171,66 €
100	3,14970 €	314,97 €
500	2,66020 €	1.330,10 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.