Dioden 1200 V 5A Durchkontaktierung TO-220AC
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VS-3C05ET12T-M3

DigiKey-Teilenr.
112-VS-3C05ET12T-M3-ND
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer
VS-3C05ET12T-M3
Beschreibung
DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 5A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 5 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
20pF bei 800V, 1MHz
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
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