Name: XPH4R714MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 40 V 60 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)

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XPH4R714MC,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPH4R714MCL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPH4R714MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPH4R714MC,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 60 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPH4R714MC,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5640 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 132W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,7mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer XPH4R714
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 1mA