Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 4.7674 EUR
Availability: InStock

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TRS10V65H,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS10V65H,LQ
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 10A Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden	Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Sperrleckstrom bei Vr 100 µA @ 650 V
Status der Komponente Aktiv	Kapazität bei Vr, F 649pF bei 1V, 1MHz
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 650 V	Gehäuse / Hülle 4-VSFN mit freiliegendem Pad
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 10A	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DFN-EP (8x8)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.35 V @ 10 A	Betriebstemperatur - Übergang 175°C