Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 1.3552 EUR
Availability: InStock

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TPN4R712MD,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPN4R712MDL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN4R712MD,L1Q
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN4R712MD,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 65 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4300 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 36 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer TPN4R712
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,7mOhm bei 18A, 4,5V