Name: TPN2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2010FNHL1QTR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: OutOfStock

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TPN2010FNH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPN2010FNHL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN2010FNHL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN2010FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN2010FNH,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 5,6 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN2010FNH,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 200µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 600 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,6 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TPN2010
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 198mOhm bei 2,8A, 10V