Name: TPH3R003PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH3R003PLLQTR-ND
Price: 1.6698 EUR
Availability: InStock

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TPH3R003PL,LQ
cms-digikey-product-number	TPH3R003PLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPH3R003PLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPH3R003PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	TPH3R003PL,LQ
cms-description	MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
cms-standard-lead-time	16 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 30 V 88 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	TPH3R003PL,LQ Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	88 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,2mOhm bei 44A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3825 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPH3R003