Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 2.7588 EUR
Availability: InStock

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TPH2R306NH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPH2R306NHL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH2R306NH,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60 A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPH2R306NH,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 72 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6100 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,6W (Ta), 78W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPH2R306
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 30A, 10V