N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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TK5R3E08QM,S1X

DigiKey-Teilenr.
264-TK5R3E08QMS1X-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK5R3E08QM,S1X
Beschreibung
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK5R3E08QM,S1X Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSX-H
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,3mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3980 pF @ 40 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Fragen und Antworten zum Produkt

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