Name: TK17N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17N65WS1F-ND
Price: 5.7233 EUR
Availability: OutOfStock

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TK17N65W,S1F
DigiKey-Teilenr.	TK17N65WS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK17N65W,S1F
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK17N65W,S1F Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	200mOhm bei 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 900µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	165W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK17N65

Stückpreis ohne MwSt.:	4,73000 €
Stückpreis mit MwSt.:	5,72330 €

TK17N65W,S1F