Name: TK15S04N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK15S04N1LLQTR-ND
Price: 2.2748 EUR
Availability: InStock

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TK15S04N1L,LQ
cms-digikey-product-number	TK15S04N1LLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK15S04N1LLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK15S04N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	TK15S04N1L,LQ
cms-description	MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
cms-standard-lead-time	16 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 40 V 15 A (Ta) 46W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	TK15S04N1L,LQ Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,8mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	610 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	46W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK+
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK15S04