Name: TK12A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK12A60W,S4VX-ND
Price: 4.9731 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK12A60W,S4VX
DigiKey-Teilenr.	264-TK12A60W,S4VX-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK12A60W,S4VX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11,5 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK12A60W,S4VX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,7V bei 600µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	890 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK12A60

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	4,11000 €	4,11 €
50	2,13420 €	106,71 €
100	1,94250 €	194,25 €
500	1,60700 €	803,50 €
1.000	1,54386 €	1.543,86 €

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