Name: SSM6N35FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35FELMTR-ND
Price: 0.3751 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM6N35FE,LM
DigiKey-Teilenr.	SSM6N35FELMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6N35FELMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6N35FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6N35FE,LM
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 180mA 150mW Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6N35FE,LM Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3Ohm bei 50mA, 4V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9,5pF bei 3V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 150mW
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle SOT-563, SOT-666
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten ES6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 180mA	Basis-Produktnummer SSM6N35

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)