Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 0.5566 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6H19NU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6H19NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6H19NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6H19NU,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 2 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6H19NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2.2 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 130 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-UDFN (2x2)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 8V	Basis-Produktnummer SSM6H19
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 185mOhm bei 1A, 8V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 14.820

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)