Name: SSM3K361TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K361TULFTR-ND
Price: 0.7502 EUR
Availability: InStock

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SSM3K361TU,LF
cms-digikey-product-number	SSM3K361TULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K361TULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K361TULFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	SSM3K361TU,LF
cms-description	MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
cms-standard-lead-time	12 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 3,5 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage UFM
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	SSM3K361TU,LF Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	69mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	430 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	UFM
Gehäuse / Hülle	3-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM3K361

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Auf Lager: 11.429

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)