Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.2299 EUR
Availability: InStock

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SSM3J35MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J35MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J35MFV,L3F
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J35MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8Ohm bei 50mA, 4V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12.2 pF @ 3 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäuse / Hülle SOT-723
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100mA (Ta)	Basis-Produktnummer SSM3J35

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)