Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 0.1694 EUR
Availability: InStock

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RN1106MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	RN1106MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN1106MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1106MFV,L3F
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN1106MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 bei 10mA, 5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 500µA, 5mA
Status der Komponente Aktiv	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Transistor-Typ NPN mit Vorspannung	Leistung - Max. 150 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäuse / Hülle SOT-723
Widerstände enthalten R1 und R2	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms	Basis-Produktnummer RN1106

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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