Name: CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-28216-2-ND
Price: 3.2065 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD86330Q3D
DigiKey-Teilenr.	296-28216-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 296-28216-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 296-28216-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD86330Q3D
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 25V 20A 6W Oberflächenmontage 8-LSON (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD86330Q3D Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,6mOhm bei 14A, 8V
Hersteller Texas Instruments	Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 250µA
Serie NexFET™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,2nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920pF bei 12,5V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 6W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-PowerLDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-LSON (3,3x3,3)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20A	Basis-Produktnummer CSD86330Q3