N-Kanal 500 V 22 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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STW32NM50N

DigiKey-Teilenr.
497-13284-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STW32NM50N
Beschreibung
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 22 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW32NM50N Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1973 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW32
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