N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

STW18N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16340-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STW18N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW18N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
295mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW18
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