N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
TO-247-3

STW11NM80

DigiKey-Teilenr.
497-4420-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STW11NM80
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
STW11NM80 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1630 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW11
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