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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP9N60M2

DigiKey-Teilenr.
497-13843-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP9N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP9N60M2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
780mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
320 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,62000 €1,62 €
500,77540 €38,77 €
1000,69320 €69,32 €
5000,54900 €274,50 €
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