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STP80N20M5

DigiKey-Teilenr.
497-10715-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP80N20M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 61 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
61 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm bei 30,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4329 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP80N
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