STP80N10F7 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP80N10F7

DigiKey-Teilenr.
497-14834-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP80N10F7
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP80N10F7 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3100 pF @ 50 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10mOhm bei 40A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STP100N10F7STMicroelectronics1.189497-13550-5-ND2,45000 €Vom Hersteller empfohlen
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