N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP33N60DM6

DigiKey-Teilenr.
STP33N60DM6-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP33N60DM6
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
128mOhm bei 12,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,75V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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102,61400 €26,14 €
1001,85270 €185,27 €
5001,52802 €764,01 €
1.0001,42374 €1.423,74 €
2.0001,40569 €2.811,38 €
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