N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP18NM60N

DigiKey-Teilenr.
497-10305-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP18NM60N
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP18NM60N Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
285mOhm bei 6,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,09000 €3,09 €
501,54780 €77,39 €
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Standardverpackung des Herstellers
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