
STP11NM60 | |
|---|---|
cms-digikey-product-number | 497-2773-5-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | STP11NM60 |
cms-description | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
cms-eda-cad-models | STP11NM60 Modelle |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
|---|---|---|
cms-category | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 450mOhm bei 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1000 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 160W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -65°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| cms-quantity | Stückpreis | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 1 | 4,45000 € | 4,45 € |
| 50 | 2,31740 € | 115,87 € |
| 100 | 2,11140 € | 211,14 € |
| 500 | 1,75042 € | 875,21 € |
| 1.000 | 1,64600 € | 1.646,00 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,45000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,38450 € |


