TO-220-3
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STP11NM60

cms-digikey-product-number
497-2773-5-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
STP11NM60
cms-description
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
cms-eda-cad-models
STP11NM60 Modelle
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
cms-product-q-and-a

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Auf Lager: 217
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Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. cms-view-ph0
cms-all-prices-in-currency
Stange
cms-quantityStückpreis cms-ext-price
14,45000 €4,45 €
502,31740 €115,87 €
1002,11140 €211,14 €
5001,75042 €875,21 €
1.0001,64600 €1.646,00 €
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Stückpreis ohne MwSt.:4,45000 €
Stückpreis mit MwSt.:5,38450 €
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