Name: STP11N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13170-ND
Price: 2.6015 EUR
Availability: OutOfStock

STP11N65M5
DigiKey-Teilenr.	497-13170-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP11N65M5
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP11N65M5 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	480mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	644 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	85W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP11

Stückpreis ohne MwSt.:	2,15000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,60150 €

STP11N65M5