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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP11N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STP11N65M2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP11N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP11N65M2 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 410 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 85W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 670mOhm bei 3,5A, 10V |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,09000 € | 2,09 € |
| 50 | 1,01560 € | 50,78 € |
| 100 | 0,91130 € | 91,13 € |
| 500 | 0,72822 € | 364,11 € |
| 1.000 | 0,66937 € | 669,37 € |
| 2.000 | 0,61989 € | 1.239,78 € |
| 5.000 | 0,56635 € | 2.831,75 € |
| 10.000 | 0,53947 € | 5.394,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,09000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,52890 € |
