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N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP110N10F7

DigiKey-Teilenr.
497-13551-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP110N10F7
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP110N10F7 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7mOhm bei 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5500 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,81000 €2,81 €
501,40640 €70,32 €
1001,27020 €127,02 €
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