
STF9N60M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STF9N60M2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF9N60M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 5,5 A (Tc) 20W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF9N60M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 320 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 20W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 780mOhm bei 3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N60NZ | onsemi | 930 | 488-FDPF12N60NZ-ND | 2,74000 € | Ähnlich |
| IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | 755 | IRFIB6N60APBF-ND | 4,62000 € | Ähnlich |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | 2,29000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,79000 € | 1,79 € |
| 10 | 1,14700 € | 11,47 € |
| 100 | 0,77370 € | 77,37 € |
| 500 | 0,61418 € | 307,09 € |
| 1.000 | 0,56285 € | 562,85 € |
| 2.000 | 0,51969 € | 1.039,38 € |
| 6.000 | 0,46492 € | 2.789,52 € |
| 10.000 | 0,44415 € | 4.441,50 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,79000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,16590 € |




