N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF10N65K3

DigiKey-Teilenr.
497-12562-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF10N65K3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF10N65K3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm bei 3,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 955
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,23000 €2,23 €
501,08780 €54,39 €
1000,97710 €97,71 €
5000,78306 €391,53 €
1.0000,72070 €720,70 €
2.0000,66825 €1.336,50 €
5.0000,61153 €3.057,65 €
10.0000,58877 €5.887,70 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,23000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,69830 €