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N-Kanal 650 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
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STD9HN65M2

DigiKey-Teilenr.
497-16036-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STD9HN65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ M2
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
820mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
325 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
STD9H
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