N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
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SCT50N120

DigiKey-Teilenr.
497-16598-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
SCT50N120
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt
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SCT50N120 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
69mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1900 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
318W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT50
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