N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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SCT040W65G3-4AG

DigiKey-Teilenr.
497-SCT040W65G3-4AG-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
SCT040W65G3-4AG
Beschreibung
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
*
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
63mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37.5 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
860 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
Basis-Produktnummer
SCT040
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