Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 21.6227 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT019HU120G3AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT019HU120G3AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT019HU120G3AG
Beschreibung	SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 90 A (Tc) 500W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 10mA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111.2 nC @ 18 V
Serie ECOPACK®	Vgs (Max.) +22V, -10V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2789 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäusetyp vom Lieferanten HU3PAK
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26mOhm bei 40A, 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA