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SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
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Parametrisches Äquivalent

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
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N-Kanal 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
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SCT019H120G3AG

DigiKey-Teilenr.
497-SCT019H120G3AG-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
SCT019H120G3AG
Beschreibung
SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,2V bei 2,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
121 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3465 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
555W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
HU3PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
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