Name: S3M0016120B
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120B-ND
Price: 17.9201 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S3M0016120B
DigiKey-Teilenr.	1655-S3M0016120B-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S3M0016120B
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 106 A (Tc) 576W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	106 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	23mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5251 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	576W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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1	14,81000 €	14,81 €
35	9,02257 €	315,79 €
105	8,05019 €	845,27 €
525	8,01202 €	4.206,31 €

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