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S3M0016120B | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S3M0016120B-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S3M0016120B |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 106 A (Tc) 576W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 30mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 287 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +22V, -8V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5251 pF @ 1000 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 576W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 75A, 18V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 14,58000 € | 14,58 € |
| 35 | 8,87829 € | 310,74 € |
| 105 | 7,92152 € | 831,76 € |
| 525 | 7,88400 € | 4.139,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 14,58000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 17,64180 € |
